Poids de l’Open access dans la production CNRS
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Titre
Role of vacancy defects in Al doped ZnO thin films for optoelectronic devices
XX
BSO - Titre
Role of vacancy defects in Al doped ZnO thin films for optoelectronic devices
XX
DOI
DOI
10.1088/1361-6463/aa920b
XX
DOAI
DOAI
10.1088/1361-6463/aa920b
XX
Identifiant WoS
WOS:000414726000002
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Accès ouvert
OA - Non
XX
Source - Accès ouvert
OA - Non
XX
Type d'accès
Non OA
XX
Editeur
IOP Publishing
XX
Source
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
XX
ISSN
0022-3727
XX
Type de document
Article
XX
Notoriété
3 - Correcte
XX
CNRS
Oui
XX
CNRS - Institut
INC - Institut de chimie
XX
uid:/M5V74Q3D
12/10/2021 14:52:56 (latest)
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